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最終更新日 2025年5月17日 0:40

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エルミタ的速攻撮って出しレビュー Vol.1249

コストを抑えたNon-K版第13世代Intel Coreプロセッサの自作にオススメ、GIGABYTE「B760 DS3H DDR4」

2023.01.31 更新

文:撮影・藤田 忠/編集・松枝 清顕(編集部)

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B760 GIGABYTE Intel マザーボード 第13世代Intel Coreプロセッサ

電源回路はオールドスタイルのP-PAK MOSFET

b760_ds3h_ddr4_10

今回の主役であるGIGABYTE「Ultra Durable」シリーズに属する「B760 DS3H DDR4 (rev. 1.0)」の大まかな概要を確認したあとは、より詳細に見ていこう。

第13世代Intel Coreプロセッサの特性上、その設計が最も重要になるのは電源周りだ。「B760 DS3H DDR4 (rev. 1.0)」はコストを重視したモデルだけあって、電源回路の規模は控え目で、合計11(8+2+1)フェーズで構成されている。MOSFETにはエントリーモデルでも採用例が増えているDrMOSではなく、ハイサイドMOSFET、ローサイドMOSFET、ドライバーICの3つで構成されるオールドスタイル。ただし、GIGABYTE「Ultra Durable」シリーズの品質基準を満たすプレミアムチョークや、コンデンサを採用しており、ビジネスワークにも不安のない安定した動作を実現している。

MOSFETの冷却ヒートシンクはリアインターフェイス側6フェーズのみの装備で、トップ側には非搭載。Non-K版に付属するトップフロー型CPUクーラーなど、空冷CPUクーラーを組み合わせたいところだ。

b760_ds3h_ddr4_11
CPUソケットのLGA1700は、第12世代と第13世代Intel Coreプロセッサをサポートする
b760_ds3h_ddr4_42 b760_ds3h_ddr4_44
電源回路は8+2+1の11フェーズ構成になっている On Semiconductor製MOSFETの「4C10N」と「4C06N」を実装している
b760_ds3h_ddr4_45 b760_ds3h_ddr4_47
リアインターフェイス側の6フェーズも同様 PWMコントローラには、Onsemi「NCP81530R」を採用している
b760_ds3h_ddr4_41 b760_ds3h_ddr4_08
冷却ヒートシンクは、リアインターフェイス側のみに装備されている
b760_ds3h_ddr4_43 b760_ds3h_ddr4_15
ヒートシンクには、放熱面積を増やすスリットが設けられている 補助電源コネクタは8pin×1仕様になる
b760_ds3h_ddr4_07
基板裏面。DDR5や、PCI Express 5.0には対応していないため、各スロットは従来の挿入実装(IMT)が採用されている

LGA1700向け最新ミドルレンジチップセット「Intel B760」

「B760 DS3H DDR4 (rev. 1.0)」はチップセットに、Non-K版の第13世代Intel Coreプロセッサに合わせてリリースされた「Intel B760」を採用する。前世代のIntel B660チップセットからは、PCI Express 3.0が8レーンから4レーンに減少するが、PCI Express 4.0が6レーンから10レーンに増えている。この点以外に変更点はなく、オーバークロック機能はメモリのみで、CPUのオーバークロック機能や、PCI Expressのレーン分割機能は省略されている。

b760_ds3h_ddr4_35

b760_ds3h_ddr4_37 UDのロゴがデザインされた大型アルミニウムヒートシンクを装備。2本のプッシュピンで固定されている
b760_ds3h_ddr4_39
LGA1700向けミドルレンジチップセットIntel B760。パッケージサイズは28×25mmで、消費電力は6Wになる
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最高5,333MHzまで対応するDDR4メモリスロット
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